2022-12-16
我中心杨兵老师和郑宏宇教授针对GaN基功率芯片关键结构的热输运,在Materials Today Physics发表了一篇题为“Thermal transport mechanism of AlN/SiG/3C-SiC typical heterostructures”的论文。了解大功率芯片中典型结构的传热机理对于具有更好工程传热性能的芯片设计至关重要。该篇论文通过分子动力学模拟系统地研究了氮化铝/硅掺杂石墨烯/碳化硅(AlN/SiG/3C-SiC)异质结构的界面热阻和面内热导率。研究表明,硅掺杂可以在8%的浓度下将界面热阻降低31.72%,这通过能量传输和热弛豫时间得到进一步验证。多种分析表明,硅掺杂导致3C-SiC和SiG之间的强相互作用增强,AlN和其他两种材料之间的弱相互作用由于SiG中褶皱的积累而下降,并且由于强相...